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AI算力告急?新型3D垂直堆叠内存突破瓶颈,存储密度狂翻倍

AI算力告急?新型3D垂直堆叠内存突破瓶颈,存储密度狂翻倍

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AI算力告急?新型3D垂直堆叠内存突破瓶颈,存储密度狂翻倍

1. 被“卡脖子”的AI大脑

在这个人工智能(AI)狂飙突进的时代,我们见证了ChatGPT、Sora等大模型惊人的创造力。但你是否想过,制约这些“超级大脑”进化的最大障碍可能不是算法,而是它们“记忆”数据的地方——内存。

想象一下,最新的AI模型就像一个饥渴的巨兽,需要吞噬海量的数据进行训练和推理。然而,现有的计算机架构中,负责计算的CPU/GPU跑得飞快,但负责存取数据的内存(DRAM)却像一条羊肠小道,根本供不上货。这就是业界著名的“内存墙”危机。更糟糕的是,传统的内存技术正在逼近物理极限,想做得更小、存得更多变得越来越难。

面对这个困局,来自微电子研究所的科学家们给出了一份令人振奋的答卷:一种全新的高密度3D堆叠内存技术。这项研究不仅抛弃了传统内存中难以缩小的电容组件,还像盖楼房一样将晶体管垂直堆叠,实现了存储密度的质的飞跃。

2. 拆掉电容,向天空借空间

我们常用的内存条,通常采用的是“1T1C”结构,也就是“一个晶体管+一个电容”来存储一个比特的数据。这就好比每个住户(数据)都需要配备一个巨大的水箱(电容)来存水。随着芯片工艺越来越精密,想在微观世界里把这个“水箱”造得既小又能存住水,简直比登天还难,这直接锁死了内存密度的提升空间。

科学家们想了一招“釜底抽薪”:干脆不要电容了!他们采用了一种名为2T0C(双晶体管-零电容)的新架构,利用晶体管自身的栅极电容来存储数据。省去了庞大的电容,就像把占地巨大的平房变成了紧凑的胶囊公寓,瞬间释放了大量空间。

但这还不够。为了进一步榨干每一寸芯片面积,研究团队决定“向天空借空间”。如图[1]所示,这是一种令人惊叹的垂直堆叠架构。你可以清晰地看到,多层内存单元像摩天大楼一样层层拔起,红色的垂直柱状结构贯穿其中,构成了数据的传输通道。这种设计让内存密度不再受限于芯片的平面面积,而是取决于能盖多少层“楼”。通过这种垂直双栅极(Dual-Gate)设计,芯片不仅能存更多数据,还能有效解决传统内存读取不可靠的问题。

Figure 1
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3. “一剑穿心”的制造黑科技

想法很丰满,现实很骨感。要在微观尺度上盖起这座“晶体管摩天大楼”,面临着极大的工程挑战。传统的制造方法是盖好一层再盖一层,这就像搭积木,层数越高,每一层之间的对齐就越困难。只要稍微有一点“歪楼”(横向对准偏差),整个芯片就会报废。此外,反复的高温加工也会像“回炉重造”一样,损伤已经做好的底层电路。

为了解决这个难题,研究团队研发出了一种名为“自对准单步工艺”(SASS)的黑科技。这听起来很复杂,但原理其实很像是在做“夹心饼干”打孔。

他们不再小心翼翼地逐层对齐,而是先把所有的金属层(楼层)和绝缘层铺好,然后直接用一道工序从上到下打穿一个垂直的孔洞。如图[2]所示,这个精妙的过程就像是给多层蛋糕注入奶油内馅:

Figure 2
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  • 首先,沉积好多层的金属和绝缘材料(图[2]b)。
  • 接着,一次性蚀刻出贯穿所有层的垂直通道(图[2]c)。
  • 最关键的一步来了(图[2]d-e),研究人员在同一个真空腔体内,利用臭氧($O_3$)将裸露出的金属层边缘氧化,直接形成高质量的绝缘层,紧接着沉积上作为“水管”的沟道材料(IGZO)。

这种“一锅出”的方法不仅完美解决了层与层之间的对齐问题(因为大家都是围绕同一个孔洞生成的),还避免了多次进出设备带来的杂质污染。结果就是,制造出来的晶体管性能异常强悍:开关响应极快,漏电极低,且每一个单元的体质都高度一致,不再有“参差不齐”的次品。

4. 小身材,大肚量:4比特存储的魔法

搞定了制造工艺,这个新型内存到底有多能装?数据给出了惊人的答案。

得益于垂直结构,这款内存单元的占地面积被压缩到了极致的4F²(F代表工艺特征尺寸)。这是一个什么概念?相比于目前常见的平面2T0C内存(通常为20F²),它的密度直接提升了5倍!这意味着在同样的芯片面积上,你可以塞进以前5倍的数据量。

不仅如此,这个小小的单元里还藏着更深的玄机。通常我们认为,一个内存单元就像一盏灯,要么开(1)要么关(0),只能存储1比特的信息。但这项新技术打破了常规,它实现了一个单元存储4比特(4-bit)的数据。

这听起来可能有点抽象,让我们打个比方:传统的内存单元像是一个只有“开”和“关”两个档位的开关,而这种新型单元则像是一个拥有16个档位的调光旋钮。如图[3]所示,通过精细调节电压,研究人员在一个单元内实现了16种截然不同的电流状态(从0000到1111)。这意味着,在不增加任何物理空间的情况下,存储容量直接原地翻了4倍!配合前面提到的5倍密度提升,这种叠加效应带来的容量爆发是惊人的。

Figure 3
Figure 3

除了“装得多”,它还“记得牢”。普通DRAM内存因为电容漏电,必须每隔几十毫秒就刷新一次数据,否则就会“失忆”。而基于IGZO(铟镓锌氧化物)材料的这款新内存,凭借其极低的漏电特性,数据保持时间竟然长达300秒以上,甚至能超过500秒。这对于内存来说,简直就是“超长待机”,不仅大幅降低了频繁刷新带来的功耗,也让数据存取变得更加从容。

5. 展望:为AI安上“超级海马体”

这项研究的意义,远不止于造出了一块更小的芯片。它为解决困扰AI行业已久的“内存墙”问题提供了一条切实可行的突围之路。

通过这种独特的3D垂直堆叠技术,未来的存储芯片可以直接“盖”在处理器(CPU/GPU)的头顶上,或者以极高的密度集成在芯片内部。这就好比将原本远在郊区的仓库直接搬进了工厂车间,数据传输的距离被缩短到了极致,带宽瓶颈将不复存在。

随着这项技术的成熟与应用,也许在不久的将来,我们的手机、电脑乃至云端服务器,都将拥有一颗体积更小、但记忆力惊人的“超级海马体”。那时,跑起大模型来或许就像现在打开记事本一样轻而易举。当算力的枷锁被解开,人工智能又将进化出怎样的奇迹?让我们拭目以待。

论文信息

  • 标题:High-density three-dimensional integration of dynamic random-access memory using vertical dual-gate IGZO TFTs.
  • 论文链接https://doi.org/10.1038/s41467-025-65925-3
  • 论文一键翻译点击获取中文版 ➡️
  • 发表时间:2025-12-8
  • 期刊/会议:Nature communications
  • 作者:Fuxi Liao, Zhengyong Zhu, Zihan Li, ..., Ming Liu

本文由超能文献“资讯AI智能体”基于4000万篇Pubmed文献自主选题与撰写,并经AI核查及编辑团队二次人工审校。内容仅供学术交流参考,不代表任何医学建议。

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